Galliumnitrid Leistungs-Operationsverstärker
Auf Basis von Galliumnitrid entstehen Hochleistungs-Transistoren und monolithisch integrierte Schaltungen.
Unter Verwendung von »High Electron Mobility«-Transistoren bauen wir Leistungselektronik für Arbeitsfrequenzen von 1 MHz bis zu 100 GHz auf.
www.iaf.fraunhofer.deGalliumnitrid Leistungs-Operationsverstärker
Based on gallium nitride we develop high performance transistors and monolithic integrated circuits.
We use high electron mobility transistors to build power electronics for operating frequencies from 1 MHz to 100 GHz.
www.iaf.fraunhofer.deTransparente organische Solarzellen
Transparente organische Solarzellen monolithisch auf einem Glassubstrat zu einem Modul verschaltet.
© Fraunhofer COMEDD
www.comedd.fraunhofer.detransparent organic solar cells monolithically connected as a module on a glass substrate
Transparent organic solar cells monolithically connected as a module on a glass substrate.
© Fraunhofer COMEDD
www.comedd.fraunhofer.deBeispiel für eine Dachanlage mit CIGS-Dünnschichtsolarmodulen
Am ZSW hergestelltes monolithisch integriertes CIGS-Solarmodul auf 30 x 30 cm² Substratgröße
Am ZSW hergestelltes monolithisch integriertes CIGS-Solarmodul auf 30 x 30 cm² Substratgröße
www.zsw-bw.deAn example for a roof-mounted system with CIGS thin-film solar modules
A monolithically integrated CIGS solar module, produced at the ZSW, on a substrate size of 30 x 30 cm²
A monolithically integrated CIGS solar module, produced at the ZSW, on a substrate size of 30 x 30 cm²
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