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Eine Flutbelichtung des gesamten Wafers bewirkt in den noch unbelichteten Bereichen die Bildung von 3-Indencarbonsäure und macht diese Bereiche löslich gegenüber dem alkalischen Entwickler.
de.wikipedia.org Die Größe der Einsätze richtet sich nach der Größe des zu befördernden Wafers.
de.wikipedia.org Im ersten Prozessabschnitt wird ein n-dotierter Silizium-Einkristall-Wafer thermisch oxidiert, um ein gut 2 µm dickes „Feldoxid“ für die Isolation der Bauelemente zu erzeugen.
de.wikipedia.org Der Wafer wird an den Stellen, an denen am Ende keine Drähte stehen sollen, mit einem Übergangsmetall als Katalysator beschichtet.
de.wikipedia.org Bei der Feinverdrahtung ist eine Menge von Signalnetzen gegeben, deren Anschlüsse während der Platzierung einer Geometrie auf dem Wafer zugeordnet wurden.
de.wikipedia.org Примери от интернет (не са проверени от PONS редакцията)
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www.ilt.fraunhofer.de Um die hohe Anzahl an Löchern in den üblichen Taktzeiten von einer Sekunde pro Zelle zu erzeugen, muss der Laserstrahl mit etwa 20 m/s über den Wafer bewegt werden.
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To achieve the numbers required for EWT cells in the usual cycle times of one second per cell, the laser beam has to be moved across the wafer at a speed of about 20 m/s.
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www.hnf.de Ein 4-Megabit-DRAM auf dem Wafer.
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A 4-megabit DRAM on a wafer.
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www.cfn.kit.edu „ Die so hergestellten Elemente - die Resonatoren, Schaltkreise und der Wafer - überzeugen durch ihre hohe Qualität. “
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“ The elements thus manufactured that is, the resonators, circuits, and the wafer, are attractive because of their high quality. ”
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www.schott.com Die ersten EUV-Lithografiegeräte der „ twinscan NXE ” - Familie von ASML haben ihre Abnehmer schon erreicht und mittlerweile über 30.000 Wafer belichtet.
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The first ASML ” twinscan NXE ” systems have reached their buyers and have meanwhile exposed more than 30,000 wafers.
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www.ethlife.ethz.ch Weil aber GaN und Silizium verschiedene Materialeigenschaften besitzen, ist es schwierig, die beiden Materialien auf einem Wafer zu vereinen. So kann es sein, dass sich bei Erwärmung auf dem Wafer Risse bilden, da sich die Materialien unterschiedlich stark ausdehnen.
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However, because GaN and silicon have different material properties, it is difficult to combine the two materials on a wafer; cracks may form during heating, for instance, as the materials expand to a different degree.
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